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  • 型号: BSH111,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSH111,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSH111,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSH111,215价格参考。NXP SemiconductorsBSH111,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 335mA(Ta) 830mW(Tc) TO-236AB。您可以下载BSH111,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSH111,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

335 mA

Id-连续漏极电流

335 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSH111,215TrenchMOS™

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产品型号

BSH111,215

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

0.83 W

Pd-功率耗散

830 mW

Qg-GateCharge

0.05 nC

Qg-栅极电荷

0.05 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

40pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 欧姆 @ 500mA,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-1657-2
934056036215
BSH111 T/R
BSH111215

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

830mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

380 S

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

335mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSH111 T/R

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