图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STF13NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STF13NM60N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF13NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF13NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTF13NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF13NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF13NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STF13NM60N 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有以下关键特性:耐压 600V、导通电阻低至 1.3Ω(典型值)、漏极电流 Id 高达 13A(在 25°C 下),以及出色的开关性能和热稳定性。基于这些特点,STF13NM60N 的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中作为功率开关。
   - 在 PFC(功率因数校正)电路中用作高效开关元件,提升系统效率。

 2. 电机驱动
   - 可用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,提供高电压下的稳定运行。
   - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)的电机控制中发挥重要作用。

 3. 工业自动化
   - 在工业控制领域,可用于固态继电器(SSR)设计,替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。
   - 适合应用于可编程逻辑控制器(PLC)中的开关电路。

 4. 照明系统
   - 在 LED 照明驱动电路中,作为开关元件实现恒流控制。
   - 支持高压 LED 灯串的驱动需求,确保亮度一致性和系统稳定性。

 5. 汽车电子
   - 适用于车载电子设备中的负载开关,例如车窗升降器、雨刷器等。
   - 在电动车充电器或逆变器中作为功率转换的关键组件。

 6. 电池管理系统
   - 用于电池保护电路中,控制充放电回路的开启与关闭。
   - 提供过流保护功能,防止电池过载或短路损坏。

 7. 其他应用
   - 用于太阳能逆变器中的功率转换模块,支持可再生能源系统的高效运行。
   - 在 UPS(不间断电源)系统中作为备用电源切换开关。

综上所述,STF13NM60N 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关特性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,特别是在高电压、中小电流的应用领域表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FPMOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF13NM60NMDmesh™ II

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STF13NM60N

Pd-PowerDissipation

25 W

Pd-功率耗散

25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

360 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

360 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

8 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

790pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

360 毫欧 @ 5.5A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-8892-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF216933?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

25W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

STF13NM60N

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:IXFN64N50P

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PSMN005-30K,518

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF7201TRPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSZ067N06LS3GATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN2075U-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NVMFS5832NLWFT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SN7002WH6327XTSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NVMFS5832NLT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
STF13NM60N 相关产品

SI3458DV-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IXFB82N60P

品牌:IXYS

价格:

IRF6674TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

STF34NM60N

品牌:STMicroelectronics

价格:

AOTF13N50

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRFR6215TRL

品牌:Infineon Technologies

价格:

PMPB15XPH

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

MCH3478-S-TL-H

品牌:ON Semiconductor

价格: