ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN3R0-30MLC,115
Datasheet下载- 型号： PSMN3R0-30MLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PSMN3R0-30MLC,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R0-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R0-30MLC,115价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsPSMN3R0-30MLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 88W（Tc） LFPAK33。您可以下载PSMN3R0-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R0-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R0-30MLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=120A，脉冲可达480A）和优异的热性能。 其主要应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，显著降低导通损耗，提升系统能效（尤其在12V/48V输入、低电压大电流输出场景）。 ✅ 电机驱动与负载开关：适用于无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、无人机电调及智能家电中的H桥/半桥驱动，支持快速开关（低Qg≈95 nC）与高可靠性。 ✅ 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低Rds(on)和强短路耐受能力，常用于锂电池组的主回路保护、充放电路径控制及过流/反向电流保护电路。 ✅ 热插拔与电源排序电路：集成的ESD保护（HBM 2kV）及稳健的雪崩耐量（EAS=520mJ），使其适用于电信/数据中心的板级热插拔模块和多电源轨上电时序管理。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），兼容主流MCU/GPIO接口，简化驱动设计；LFPAK56封装具备优异散热性与PCB空间利用率，适合高功率密度应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN3R0-30MLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2330pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.05 毫欧 @ 25A，4.5V |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9574-2 |
| 功率-最大值 | 88W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
