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Datasheet下载- 型号： PMPB11EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMPB11EN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB11EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB11EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB11EN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6。您可以下载PMPB11EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB11EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB11EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 140 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低阈值电压（Vgs(th) 约 –0.7 V 至 –1.3 V）及高开关速度等特点。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路，用于实现低功耗、快速启停的电源通断控制； • 反向电流阻断与电池备份切换：在双电源/电池+USB供电系统中，作为理想二极管替代方案，防止反向放电，提升能效； • LED 驱动与背光控制：适用于中小功率白光LED的PWM调光或使能控制，凭借低驱动电压兼容低压MCU（如1.8V/3.3V I/O）； • 逻辑电平转换与信号开关：在低电压数字系统中用作电平移位或信号门控元件； • 电机驱动辅助电路：如微型直流电机（如振动马达）的H桥侧边开关或使能控制，适用于空间受限场景。 该器件额定电压为 –20 V，连续漏极电流 ID = –2.6 A（Tc=25℃），具备ESD防护（HBM 2 kV），适合高密度、低功耗、小尺寸设计需求。不适用于高功率或高压主开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB11EN,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 9A， 10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10450-6 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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