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IRF7807ATRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807ATRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807ATRPBF价格参考。International RectifierIRF7807ATRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7807ATRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807ATRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7807ATRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别,广泛应用于多种电子电路和系统中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRF7807ATRPBF因其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,从而提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动应用中,该MOSFET可用作驱动器的开关元件。通过精确控制栅极电压,可以实现对电机速度和方向的有效调节。 3. 负载开关:在便携式设备如智能手机、平板电脑等中,IRF7807ATRPBF可以用作负载开关,以实现对不同电路模块的供电管理,降低功耗并延长电池寿命。 4. DC-DC转换器:该器件适用于各种DC-DC转换器拓扑结构(如降压、升压或反激式转换器),用于将输入电压转换为所需的输出电压。 5. 电池保护电路:在锂电池或其他可充电电池组中,MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止过度充放电等功能,确保电池安全运行。 6. 信号放大与缓冲:虽然主要用于功率处理,但在某些情况下也可以用作信号放大或缓冲器,特别是在需要高输入阻抗和低输出阻抗的应用中。 7. 继电器替代方案:由于其固态特性和长寿命,IRF7807ATRPBF可以作为传统机械继电器的替代品,用于频繁切换负载的应用场合。 总之,IRF7807ATRPBF凭借其优良的电气性能和可靠性,在众多工业、消费类电子产品及汽车电子领域中得到了广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807ATRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7807ATRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7807ATRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 栅极电荷Qg | 17 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 8.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
| 配置 | Single |