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Datasheet下载- 型号： STGP10NC60H
- 制造商： STMicroelectronics
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STGP10NC60H产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGP10NC60H由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP10NC60H价格参考。STMicroelectronicsSTGP10NC60H封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 20A 60W Through Hole TO-220AB。您可以下载STGP10NC60H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGP10NC60H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STGP10NC60H是一款集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和反并联二极管的功率器件，属于晶体管中的IGBT类别，常用于功率转换和电机控制等高电压、高电流的应用场景。 该器件主要应用于以下领域： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器等，用于控制交流电机的速度与转矩。 2. 家电控制：如变频空调、洗衣机、冰箱等，用于提高能效和实现精确控制。 3. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统等，用于直流到交流的功率转换。 4. 电动汽车相关应用：如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等，适用于中高功率电能转换场合。 5. 电源设备：如不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）等，用于高效能电源转换。 STGP10NC60H具有高耐压（600V）、大电流承载能力（10A）和低导通压降等特点，适合高频开关应用，有助于提升系统效率并减小散热设计需求。其封装形式通常为TO-247，便于安装与散热。 综上，该器件适用于需要高效、可靠功率控制的工业、消费类及新能源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 14.2ns/72ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 20A 60W TO220IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 19.2nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP10NC60HPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGP10NC60H |
| SwitchingEnergy | 31.8µJ （开）， 95µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 5A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，5A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-5117-5 |
| 功率-最大值 | 60W |
| 功率耗散 | 60 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 系列 | STGP10NC60H |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 20 A |
