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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB18N40CLBT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB18N40CLBT4G价格参考。ON SemiconductorNGB18N40CLBT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGB18N40CLBT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGB18N40CLBT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGB18N40CLBT4G的器件属于安森美半导体(ON Semiconductor)的MOSFET产品系列,具体为单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效的电能转换。 2. 电机控制:在工业自动化和电机驱动器中,作为开关元件控制电机的运行。 3. 电动汽车与充电桩:用于电动车的电池管理系统和充电控制电路中。 4. 光伏逆变器:太阳能发电系统中的DC-AC转换装置,要求高效率和高耐压能力。 5. UPS(不间断电源):在UPS系统中实现快速切换和稳定供电。 6. LED照明驱动:用于高亮度LED照明的恒流驱动电路中。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(400V)和良好热性能,适合高频率开关操作,有助于提升系统效率并减小散热设计的复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 430V 18A 115W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB18N40CLBT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 4V, 15A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NGB18N40CLBT4GOS |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 430V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 18A |
| 输入类型 | 逻辑 |