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Datasheet下载- 型号： SI4134DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4134DY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4134DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4134DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4134DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4134DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4134DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4134DY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）中，用于高效地控制电流流动和实现快速开关。 2. 负载切换：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，SI4134DY-T1-GE3可用于负载切换，以保护电路免受过流或短路的影响。 3. 电机驱动：这款MOSFET可以用于小型直流电机的驱动电路中，提供高效的开关性能和低导通电阻，从而减少功耗。 4. 电池管理：在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充电和放电的控制，确保电池的安全和稳定运行。 5. 信号切换：在通信和数据传输应用中，SI4134DY-T1-GE3可以用作信号切换元件，实现高速信号的可靠传输。 6. 保护电路：由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET适合用于过流保护和短路保护电路中，提高系统的安全性。 7. 音频设备：在音频功率放大器中，这款MOSFET可以作为输出级元件，提供高质量的音频信号放大。 总之，SI4134DY-T1-GE3凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，非常适合于需要高效能、低损耗和小尺寸解决方案的各种电子应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOICMOSFET 30V 14A 5.0W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4134DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4134DY-T1-GE3SI4134DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 846pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4134DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4134DY-GE3 |
