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Datasheet下载- 型号： BFS540,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFS540,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFS540,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFS540,115价格参考。NXP SemiconductorsBFS540,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载BFS540,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFS540,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFS540,115 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），广泛应用于高频信号放大和射频电路设计中。该器件具有优异的高频性能，适用于工作频率高达数GHz的应用场景，常用于无线通信系统中的小信号放大。 典型应用包括： - 移动通信设备中的射频前端模块，如蜂窝基站、智能手机和无线基础设施； - 无线局域网（WLAN）设备，支持Wi-Fi 5 GHz频段的信号放大； - 低噪声放大器（LNA）设计，提升接收灵敏度； - 物联网（IoT）设备、智能传感器和无线收发模块中的射频信号处理； - 工业、科学和医疗（ISM）频段的无线传输系统。 BFS540,115采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性。其低功耗特性也使其适用于便携式和电池供电设备。综合来看，该晶体管是现代高频电子系统中实现高效、稳定射频放大的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF NPN 15V 9GHZ SOT323射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFS540,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFS540,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 40mA，8V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11112-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 120 mA |
| 零件号别名 | BFS540 T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
