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Datasheet下载- 型号： BFU730F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFU730F,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU730F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU730F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU730F,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 2.8V 30mA 55GHz 197mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU730F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU730F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFU730F,115 是一款高性能射频双极结型晶体管（BJT），主要用于高频、低噪声的无线通信系统中。该器件特别适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的射频放大应用，广泛应用于移动通信基础设施、无线接入点、广播设备和工业射频模块等场景。 BFU730F,115 具有优异的低噪声系数和高增益特性，使其成为射频前端低噪声放大器（LNA）的理想选择，尤其适合对信号灵敏度要求较高的接收链路。典型应用包括GSM、UMTS、LTE以及5G通信基站中的射频接收模块，也可用于Wi-Fi 6和其他高性能无线网络设备中，提升信号接收质量与系统稳定性。 此外，该器件采用小型化表面贴装封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合高密度PCB布局，广泛用于空间受限但性能要求严苛的射频设计。其坚固的设计也支持在较宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和室外通信设备。 总之，BFU730F,115 凭借其卓越的射频性能和稳定性，主要应用于现代通信系统中的关键低噪声放大环节，是高性能射频设计的重要元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F-4射频双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU730F,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFU730F,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 205 @ 2mA，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8457-1 |
| 功率-最大值 | 197mW |
| 功率耗散 | 197 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT343F-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作频率 | 55 GHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.8 V |
| 集电极连续电流 | 5 mA |
| 频率 | 55 GHz |
| 频率-跃迁 | 55GHz |
