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Datasheet下载- 型号： PBSS5160PAP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS5160PAP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5160PAP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5160PAP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5160PAP,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 1A 125MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)。您可以下载PBSS5160PAP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5160PAP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5160PAP,115 是 Nexperia 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT1118（DFN2020-6）小型无引线封装，内含两个独立的 NPN 晶体管（双通道），具备高增益（hFE典型值600@Ic=50mA）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.14V@Ic=100mA）、高集电极电流（IC = 600mA）及良好热性能。其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电路：如LED驱动、继电器/电磁阀驱动、电源使能控制等，得益于低饱和压降与快速开关特性（tf < 10ns），可提升能效与响应速度； 2. 信号放大与电平转换：在微控制器（MCU）I/O口扩展中，用于3.3V/5V逻辑电平适配或弱信号前置放大； 3. 冗余/并联设计：双晶体管结构便于构建互为备份的驱动电路，提升系统可靠性； 4. 空间受限的便携设备：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电池管理、传感器接口等，受益于2.0mm×2.0mm超小封装与高集成度； 5. 工业控制模块：PLC输入/输出调理、电机H桥预驱、编码器信号整形等中低频（fT ≈ 170MHz）应用。 该器件符合AEC-Q101车规标准（部分批次），亦适用于工业级环境（-55°C ~ +150°C）。需注意：使用时应合理设计基极限流电阻与散热路径，避免连续大电流导致结温超标。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5160PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5160PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 550mV @ 50maA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10207-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 245 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 170 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 125 mV |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 125MHz |
