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Datasheet下载- 型号： BFG520/X,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFG520/X,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG520/X,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG520/X,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG520/X,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 300mW Surface Mount SOT-143B。您可以下载BFG520/X,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG520/X,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFG520/X,215 是一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。其典型应用场景包括无线通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、射频前端模块、移动无线电系统以及各类高频接收设备。 该器件具有优异的噪声系数和高增益特性，适合工作在数百MHz至数GHz的频率范围，常用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等蜂窝通信系统的接收链路中，提升信号接收灵敏度。此外，BFG520/X,215 也广泛应用于无线局域网（WLAN）、点对点微波通信、广播接收设备和物联网（IoT）射频模块中。 由于采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成在高密度印刷电路板上，适用于对空间要求严格的便携式或紧凑型射频设备。其稳定的工作性能和良好的线性度，使其在需要高保真信号放大的场景中表现出色。 总之，BFG520/X,215 主要面向通信领域的射频低噪声放大需求，特别适用于基站、终端设备和无线接入系统中的高频小信号放大环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143B射频双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG520/X,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG520/X,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 20mA，6V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-6191-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.07 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 70 mA |
| 零件号别名 | BFG520/X T/R |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
