Datasheet下载- 型号： NE85639-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85639-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85639-A价格参考。CELNE85639-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE85639-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85639-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85639-A是品牌CEL生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频模拟信号放大和射频功率放大应用。该器件具有优良的高频特性与增益稳定性，适用于工作频率较高的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：用于基站、中继器和微波链路中的射频放大电路，支持UHF及微波频段信号处理； 2. 广播发射系统：在FM广播或电视信号发射模块中作为前置或末级放大器，提供高线性度与输出功率； 3. 工业与通信基础设施：应用于点对点通信、卫星通信地面站等需要高可靠性的射频放大场合； 4. 雷达与传感器系统：适合低至中等功率的脉冲或连续波放大需求，具备良好的温度稳定性和耐压性能。 NE85639-A采用专为射频优化的封装，有助于高效散热并减少寄生参数，提升高频工作下的可靠性。其设计兼顾效率与线性度，适合要求严苛的专业级射频系统。由于其高性能表现，通常用于工业级或高端商用设备中，不常见于消费类电子产品。使用时需注意匹配输入输出阻抗，并提供稳定的偏置电路以确保工作点稳定。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85639-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE85639-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 13.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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