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PSMN4R0-30YL,115产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 PSMN4R0-30YL,115 是一款功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。该器件的典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源效率,适用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机控制:在电动工具、家电和工业自动化中,作为电机驱动电路的开关元件,实现高效、快速的电机控制。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,提供低导通电阻和高可靠性,有助于提升电池使用效率和安全性。 4. 汽车电子:支持车载充电器、车身控制模块和LED照明系统,满足汽车环境对高温和高可靠性的要求。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电,用于高效电源转换和负载管理。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合高频率开关应用,有助于减少能量损耗和提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET <=30V N CH TRENCHFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-30YL,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R0-30YL,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2090pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4683-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
| 零件号别名 | PSMN4R0-30YL T/R |