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Datasheet下载- 型号： PSMN1R6-30BL,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN1R6-30BL,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R6-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R6-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R6-30BL,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN1R6-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R6-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R6-30BL,118 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款N沟道MOSFET，属于高性能功率MOSFET产品系列。该器件具有低导通电阻（典型值仅为1.6mΩ）、高电流承载能力和优良的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，尤其在高效率、低损耗要求的场合表现优异。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具和家用电器中的小型电机驱动电路，提供快速开关响应和低功耗运行。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统或便携式设备中的电池保护与充放电控制，因其低RDS(on)可减少发热，提高能效。 4. 逆变器与电源模块：在光伏逆变器、UPS等电力电子设备中作为主开关元件，支持高频工作，提升整体效率。 5. 热插拔与负载开关：适合服务器、通信设备中的电源管理单元，实现安全的热插拔操作和过流保护。 该MOSFET采用LFPAK（类似PowerSO-8）封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合自动化生产，广泛应用于工业、汽车电子（如车载充电系统）及消费类电子产品中。凭借Nexperia在功率半导体领域的技术优势，PSMN1R6-30BL,118 在高密度、高效率电源设计中具有重要地位。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R6-30BL,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R6-30BL,118 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12493pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 212nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9481-1 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 配置 | Single |
