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  • 型号: PMP5501G,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMP5501G,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMP5501G,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP5501G,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP5501G,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 45V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount 5-TSSOP。您可以下载PMP5501G,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP5501G,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PMP5501G,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成在单一封装中的电路设计中。该器件适用于多种电子系统,特别是在需要高效、高稳定性和空间优化的应用中。

PMP5501G,115 的典型应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源分配系统中,作为开关元件使用,提高电源效率。

2. 信号处理与放大:在模拟信号处理电路中作为放大器,用于音频、传感器信号或通信信号的放大。

3. 数字逻辑电路:用于构建逻辑门、缓冲器或驱动电路,适用于中低频数字电路设计。

4. 马达驱动与继电器控制:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件,控制负载的通断。

5. 汽车电子系统:如车载传感器、控制模块、LED照明驱动等,得益于其高可靠性和小型封装,适合汽车环境。

6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理或信号切换电路。

该器件采用小型SMD封装,适合自动化贴片生产,适用于高密度PCB布局。由于其集成多个晶体管于一身,有助于减少元件数量和电路板空间,提高系统稳定性与生产效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL PNP 45V 100MA 5TSSOP两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP5501G,115-

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产品型号

PMP5501G,115

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

5-TSSOP

其它名称

568-7434-1

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

175 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

封装/箱体

SOT-353

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)配对,共发射极

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200 at 2 mA at 5 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

PMP5501G T/R

频率-跃迁

175MHz

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