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Datasheet下载- 型号： PHB33NQ20T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PHB33NQ20T,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB33NQ20T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB33NQ20T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB33NQ20T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 32.7A（Tc） 230W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB33NQ20T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB33NQ20T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.出品的PHB33NQ20T,118是一款N沟道增强型MOSFET，主要用于需要高效开关性能和低导通电阻的应用场景。该器件具备高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于多种电源管理和功率控制领域。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压模块及负载开关，提供高效的能量传输。 2. 电机驱动：在电动工具、电动车或工业自动化设备中作为功率开关元件。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制与保护电路。 4. 汽车电子：如车载充电系统、照明控制、起停系统等，满足汽车环境下的可靠性要求。 5. 工业控制：用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业设备中的功率切换。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的EMI性能，有助于提升整体系统效率与稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHB33NQ20T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 77 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5942-2 |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32.7A （Tc） |
