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Datasheet下载- 型号： PBLS4002D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS4002D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4002D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4002D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4002D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 700mA 150MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS4002D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4002D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PBLS4002D,115 是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个由电阻网络预设偏置的 NPN 晶体管。该器件广泛应用于需要简化电路设计、提高可靠性和节省PCB空间的场景。 典型应用场景包括： 1. 信号电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑之间的电平转换，如将3.3V信号转为5V或反之，常用于微控制器与外围设备间的接口电路。 2. LED驱动：适用于中小功率LED的开关控制，其内置偏置电阻可减少外部元件数量，简化驱动电路设计。 3. 开关电路：作为电子开关用于继电器、传感器、显示模块等低功耗负载的通断控制，尤其适合便携式和消费类电子产品。 4. 放大电路：在低频小信号放大应用中提供稳定的增益，如音频前置放大或传感器信号调理。 5. 电源管理：用于电源使能控制、负载开关或电池供电设备中的节能电路。 PBLS4002D,115 采用SOT457小型封装，具有高集成度和良好的热稳定性，适用于智能手机、平板电脑、家用电器、工业控制模块和通信设备等紧凑型电子系统。其预偏置设计显著降低了设计复杂度，提高了生产一致性，是替代传统分立晶体管+电阻组合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS4002D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS4002D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 310mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V / 300 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7236-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms at NPN |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 1000 mA at PNP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V at NPN, 40 V at PNP |
| 零件号别名 | PBLS4002D T/R |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
