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NTR4502PT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR4502PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR4502PT1G价格参考。ON SemiconductorNTR4502PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.13A(Ta) 400mW(Tj) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NTR4502PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR4502PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR4502PT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: NTR4502PT1G 适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够高效地控制电流流动,降低功率损耗,特别适合需要高效率的电源应用。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。其快速开关特性和低功耗特性使其非常适合这类应用。 3. 负载开关: 用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中的负载开关,可以动态地接通或断开某些电路模块,从而优化电池使用时间。 4. 电池保护: 在锂电池或其他可充电电池系统中,NTR4502PT1G 可作为过流保护和短路保护的开关器件,确保电池在安全范围内工作。 5. 信号切换: 在音频设备或数据通信设备中,可以用作信号路径上的开关,选择性地传递或阻断特定信号。 6. 汽车电子: 在汽车电子领域,例如车窗升降器、座椅调节器等辅助功能中,这款 MOSFET 能够提供可靠的开关性能。 7. 工业自动化: 用于工业控制中的继电器替代方案,减少机械磨损并提高响应速度;也可应用于传感器接口电路中,增强信号传输能力。 综上所述,NTR4502PT1G 凭借其优异的电气参数和紧凑封装形式,在消费类电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子等多个领域都有广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23MOSFET -30V -1.95A P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.95 A |
Id-连续漏极电流 | - 1.95 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR4502PT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTR4502PT1G |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.95A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | NTR4502PT1GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 400mW |
功率耗散 | 1.25 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 240 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3 S |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 1.95 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.13A (Ta) |
系列 | NTR4502P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 20 V |