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NTR4502PT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR4502PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR4502PT1G价格参考。ON SemiconductorNTR4502PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.13A(Ta) 400mW(Tj) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NTR4502PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR4502PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR4502PT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: NTR4502PT1G 适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够高效地控制电流流动,降低功率损耗,特别适合需要高效率的电源应用。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。其快速开关特性和低功耗特性使其非常适合这类应用。 3. 负载开关: 用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中的负载开关,可以动态地接通或断开某些电路模块,从而优化电池使用时间。 4. 电池保护: 在锂电池或其他可充电电池系统中,NTR4502PT1G 可作为过流保护和短路保护的开关器件,确保电池在安全范围内工作。 5. 信号切换: 在音频设备或数据通信设备中,可以用作信号路径上的开关,选择性地传递或阻断特定信号。 6. 汽车电子: 在汽车电子领域,例如车窗升降器、座椅调节器等辅助功能中,这款 MOSFET 能够提供可靠的开关性能。 7. 工业自动化: 用于工业控制中的继电器替代方案,减少机械磨损并提高响应速度;也可应用于传感器接口电路中,增强信号传输能力。 综上所述,NTR4502PT1G 凭借其优异的电气参数和紧凑封装形式,在消费类电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子等多个领域都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23MOSFET -30V -1.95A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.95 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.95 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR4502PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR4502PT1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 1.95A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | NTR4502PT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 240 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 1.95 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.13A (Ta) |
| 系列 | NTR4502P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |