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DTC143TUAT106产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC143TUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC143TUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC143TUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC143TUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC143TUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为 DTC143TUAT106 的晶体管,是一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。其内部集成了基极偏置电阻,简化了外围电路设计,广泛应用于各类电子设备中。 应用场景包括: 1. 开关电路: 适用于低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机等负载,常用于电源管理或控制电路中。 2. 逻辑电平转换: 在数字电路中用于将不同电压电平的信号进行转换,便于不同系统之间的信号兼容。 3. 放大电路: 可用于音频或小信号放大电路中,作为前置放大器使用,适用于低频信号处理。 4. 嵌入式系统与微控制器接口电路: 用于连接微控制器与外部执行器或传感器,实现信号放大或驱动功能。 5. 消费类电子产品: 如智能手机、平板电脑、家电控制板等,用于电源控制、信号处理等模块。 6. 汽车电子: 适用于车载设备中的传感器信号处理、LED照明控制等对可靠性要求较高的场景。 该晶体管因集成偏置电阻,可有效减少PCB布线复杂度,提升电路稳定性,适合高密度、小型化设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-323 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC143TUAT106- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC143TUAT106 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | UMT3 |
其它名称 | DTC143TUAT106DKR |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |