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DTC115EETL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC115EETL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC115EETL价格参考。ROHM SemiconductorDTC115EETL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 20mA 250MHz 150mW 表面贴装 EMT3。您可以下载DTC115EETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC115EETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的 DTC115EETL 是一款 预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管器件。其主要特点是内置偏置电阻,简化了外部电路设计,提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 数字开关电路: DTC115EETL适用于各种数字控制的开关应用,如逻辑电路驱动继电器、LED、小型电机等负载。由于内置偏置电阻,可直接由微控制器或逻辑IC驱动,无需额外设计偏置电路。 2. 电源管理电路: 在电池供电设备中,该晶体管可用于电源切换、负载开关或电源指示灯控制,具有低功耗、响应快的特点。 3. 音频放大电路: 虽然主要用于开关应用,但在低频、小信号放大电路中也可作为前置放大器使用,尤其适用于对成本和电路复杂度敏感的产品。 4. 工业控制设备: 广泛应用于工业自动化设备中的传感器信号切换、小型执行器控制等场合。 5. 消费类电子产品: 如手机、平板、智能穿戴设备等,用于控制外围模块的开启与关闭,或作为信号路径中的开关元件。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,适用于大批量自动化生产。其稳定性和集成度使其在成本控制和设计简化方面具有优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 20MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC115EETL- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC115EETL |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT3 |
其它名称 | DTC115EETL-ND |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 100 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | EM-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 20 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |