Datasheet下载- 型号： MMUN2136LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2136LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2136LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2136LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2136LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2136LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2136LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），主要用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的应用场合。 该器件内部集成了基极偏置电阻，使其在数字开关应用中表现优异，常用于逻辑电路驱动、电平转换、负载开关控制以及电源管理电路中。其预偏置结构可有效降低外部电路复杂度，提升系统可靠性，特别适合在便携式设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子中使用。 具体应用场景包括：微控制器外围驱动电路、LED驱动、继电器或电机控制开关、传感器信号调理电路等。由于其具备较高的开关速度和良好的热稳定性，也适用于中高频开关场合。 总之，MMUN2136LT1G 凭借其集成化设计和优良性能，广泛应用于需要高效、稳定、低成本的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMUN2136LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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