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Datasheet下载- 型号： BUK9E8R5-40E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK9E8R5-40E,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E8R5-40E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E8R5-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E8R5-40E,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 75A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I2PAK。您可以下载BUK9E8R5-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E8R5-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BUK9E8R5-40E,127 是一款40V N沟道MOSFET，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别，具有低导通电阻（典型值约8.5mΩ），适用于高效率功率开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备优良的热性能和电流处理能力。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流和电压调节模块（VRM），在笔记本电脑、服务器和通信设备电源中实现高效能量转换。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具和家用电器中的小型直流电机或步进电机驱动电路，提供快速开关和低功耗运行。 3. 负载开关与电源切换：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中作为高边或低边开关，用于控制电源通断，减少待机损耗。 4. 电池供电系统：用于电池管理系统（BMS）、充电电路及保护模块，因其低导通电阻可降低发热，提高续航能力。 5. 汽车电子：应用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动和车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）等12V低压系统中，满足AEC-Q101可靠性标准。 6. 工业与消费类电子：适用于各类开关电源、适配器、UPS不间断电源及智能电表等设备。 该MOSFET采用LFPAK（PowerSO-8）封装，散热性能好，适合自动化贴装，便于高密度PCB设计。综合来看，BUK9E8R5-40E特别适用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的中低电压功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9E8R5-40E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9878-5 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Ta） |
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