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型号： PHB45NQ15T,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PHB45NQ15T,118产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PHB45NQ15T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB45NQ15T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB45NQ15T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 150V 45.1A（Tc） 230W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB45NQ15T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB45NQ15T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

品牌为Nexperia USA Inc.、型号为PHB45NQ15T,118的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）属于N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率转换应用。

该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于如下的典型应用场景：

1. DC-DC转换器：广泛用于车载电源系统、服务器电源、通信设备中的电压调节模块（VRM）中，实现高效的电压转换。

2. 负载开关与电源管理：用于控制电源通断，如电池供电设备中的负载开关，实现低功耗管理。

3. 电机驱动电路：适用于工业自动化、电动工具或电动车中的电机控制模块，作为功率开关使用。

4. 逆变器与电源转换系统：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等系统中，用于功率级的开关控制。

5. 汽车电子系统：由于其高可靠性和符合AEC-Q101标准，常用于汽车中的电源系统、车载充电器等场景。

封装形式为DPAK（TO-252），便于散热和安装，适合中高功率应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PHB45NQ15T,118
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	32nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	42 毫欧 @ 20A，10V
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	568-2192-1
功率-最大值	230W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	45.1A （Tc）