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PEMD48,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD48,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD48,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD48,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMD48,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD48,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PEMD48,115 的双极性晶体管(BJT)阵列 - 预偏置,主要应用于需要高效、稳定和精确电流控制的电路中。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 - 用于开关电源中的驱动电路,帮助调节电压和电流。 - 在线性稳压器中作为功率级元件,实现稳定的电压输出。 2. 信号放大 - 在音频设备中用作信号放大器,提供高质量的音效输出。 - 适用于通信设备中的射频信号放大,确保信号传输的稳定性。 3. 电机驱动 - 控制小型直流电机或步进电机的速度与方向。 - 在自动化系统中作为驱动级,实现对电机的精确控制。 4. 保护电路 - 用于过流保护和短路保护电路,通过快速响应防止系统损坏。 - 在电池管理系统中监测和限制充电/放电电流。 5. 工业控制 - 在可编程逻辑控制器(PLC)中作为输入/输出接口的驱动元件。 - 用于继电器驱动和电磁阀控制,实现工业设备的自动化操作。 6. 消费电子 - 应用于家用电器(如冰箱、空调等)的温控和风扇速度调节。 - 在照明系统中控制LED灯的亮度和颜色变化。 7. 汽车电子 - 用于车载音响系统的功率放大器。 - 在发动机控制单元(ECU)中作为信号处理和驱动元件。 PEMD48,115 的预偏置特性使其在设计中更容易实现稳定的静态工作点,减少外部元件的需求,从而简化电路设计并提高可靠性。这种器件适合需要高精度和低功耗的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PEMD48,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V / 100 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11263-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k,22k |
| 频率-跃迁 | - |