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  • 型号: BS170RLRAG
  • 制造商: ON Semiconductor
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BS170RLRAG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BS170RLRAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS170RLRAG价格参考。ON SemiconductorBS170RLRAG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3。您可以下载BS170RLRAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS170RLRAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的BS170RLRAG是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的单MOSFET产品。该器件广泛应用于低电压、低功率的开关和信号控制场合。

典型应用场景包括:电源管理开关,如电池供电设备中的负载开关,用于控制电源通断以降低功耗;在便携式电子产品(如智能手机、平板、可穿戴设备)中实现模块供电的启停控制。此外,BS170RLRAG常用于逻辑电平转换电路,将微控制器(如3.3V或5V输出)的信号转换为驱动其他器件所需的电平,适用于I2C、UART等通信接口的电平匹配。

由于其导通电阻较低(典型值约5Ω)、输入电容小、开关速度快,也适合用作模拟开关或小电流数字开关,例如在音频信号切换、LED驱动、继电器驱动等电路中作为控制元件。同时,因其封装小型化(通常为SOT-23),节省PCB空间,适用于高密度布局的消费类电子设备。

BS170RLRAG具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合工业控制、家用电器、通信模块等环境要求较高的应用。总体而言,该MOSFET以其高性价比、稳定性能和广泛兼容性,成为众多低功率开关设计中的常用选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92MOSFET 60V 500mA N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

500 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BS170RLRAG-

数据手册

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产品型号

BS170RLRAG

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

0.35 W

Pd-功率耗散

350 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 200mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

BS170RLRAGOSTR

功率-最大值

350mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

正向跨导-最小值

0.2 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Ta)

系列

BS170

通道模式

Enhancement

配置

Single

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