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UNR5119G0L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UNR5119G0L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UNR5119G0L价格参考。Panasonic CorporationUNR5119G0L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 80MHz 150mW 表面贴装 S迷你型3-F2。您可以下载UNR5119G0L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UNR5119G0L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为UNR5119G0L的晶体管,属于Panasonic Electronic Components品牌下的预偏置双极性晶体管(BJT),在电子电路中具有广泛的应用场景。 该器件通常用于需要简化偏置电路设计的场合,例如数字开关电路、逻辑电平转换、继电器或LED驱动电路。由于其内部已集成偏置电阻,因此可有效减少外围元件数量,提升电路的可靠性与稳定性,特别适用于高密度贴装的便携式电子产品和工业控制设备。 此外,UNR5119G0L也适用于低频放大电路和信号处理电路,如音频前置放大、传感器信号调理等场景。其预偏置特性使得电路设计更加简洁,降低了设计复杂度,同时提高了生产效率。 在汽车电子领域,该晶体管也可用于车载控制模块、车载传感器接口电路中,满足对稳定性和耐环境能力的高要求。 总之,UNR5119G0L凭借其集成化设计和稳定性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+UNR5119G+8+WW |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | UNR5119G0L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | S迷你型3-F2 |
| 其它名称 | UNR5119G0LCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-85 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | 80MHz |