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Datasheet下载- 型号： STGWT60V60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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STGWT60V60DF产品简介：
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STMicroelectronics（意法半导体）的型号 STGWT60V60DF 属于功率晶体管中的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），常用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的易驱动特性和BJT（双极型晶体管）的低导通压降优势，适用于高效能、高频率的电力电子系统。 主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动与变频器：用于控制交流电机的速度和转矩，广泛应用于自动化生产线、伺服控制系统等。 2. 逆变器与UPS（不间断电源）：在太阳能逆变器、储能系统以及UPS中实现直流到交流的能量转换。 3. 电动汽车相关应用：如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器，支持车辆能量管理系统。 4. 家电领域：如高端洗衣机、空调压缩机等需要高效能电机控制的产品。 5. 智能电网与能源管理：用于电能质量调节设备、储能系统及智能配电装置中。 该IGBT具有较高的耐压能力（600V）和良好的热稳定性，适合在中高功率（几千瓦至几十千瓦）范围内工作，尤其适用于要求高频开关和高效率的设计场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 60ns/208ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 600V 80A 375W TO3PIGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 334nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT60V60DF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGWT60V60DF |
| SwitchingEnergy | 750µJ （开）， 550µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 60A， 4.7 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 497-13836-5 |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 74ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGWT60V60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |
