Datasheet下载- 型号： STGWT20H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT20H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT20H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGWT20H60DF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGWT20H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGWT20H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STGWT20H60DF 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 UGBT（超结功率 MOSFET）系列。该器件具有以下关键特性：耐压高达 600V，连续漏极电流可达 20A，低导通电阻（Rds(on)），以及快速开关性能。基于这些特点，其典型应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) STGWT20H60DF 的高电压和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它能够高效处理高电压输入，并减少功率损耗。 2. 电机驱动 在工业自动化和家电领域中，这款 MOSFET 可用于驱动中小型电机。它的快速开关能力和低损耗特性有助于提高电机控制系统的效率和可靠性。 3. 逆变器 该器件适用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器。在这些应用中，MOSFET 的高频开关能力可以实现高效的直流到交流转换。 4. PFC（功率因数校正）电路 在需要功率因数校正的应用中，STGWT20H60DF 可以作为主开关器件，帮助提升系统的功率因数并降低谐波失真。 5. 负载切换与保护 它还可用于各种负载切换和保护电路中，例如服务器、通信设备或消费电子产品的电源管理部分。其坚固的设计能够承受瞬态电压冲击。 总结来说，STGWT20H60DF 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换、快速开关和高耐压能力的场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 42.5ns/177ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 167W TO3PF |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 115nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STGWT20H60DF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 209µJ （开）， 261µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-13961-5 |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 90ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 输入类型 | 标准 |
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