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Datasheet下载- 型号： START499ETR
- 制造商： STMicroelectronics
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START499ETR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供START499ETR由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 START499ETR价格参考。STMicroelectronicsSTART499ETR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 4.5V 600mA 1.9GHz 600mW Surface Mount SOT-343。您可以下载START499ETR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有START499ETR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的START499ETR是一款射频双极晶体管（BJT），专为高频应用设计。其主要应用场景包括： 1. 射频功率放大器：START499ETR适用于无线通信系统中的射频功率放大器，能够高效处理高频信号，提供稳定的增益和输出功率。 2. 无线通信设备：该晶体管可用于基站、中继站和其他无线通信设备中，支持高频信号的传输和接收，确保通信质量。 3. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备：在ISM频段应用中，如无线传感器网络、射频识别（RFID）读写器等，START499ETR可以提供高效的射频性能。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中，确保高精度和稳定性的射频信号处理。 5. 雷达系统：在雷达应用中，该晶体管可作为功率放大器的核心元件，支持目标检测和跟踪功能。 6. 卫星通信：START499ETR可用于卫星地面站设备中，提供可靠的射频信号放大和处理能力。 该器件具有高增益、低噪声和高线性度的特点，适合需要高性能射频信号处理的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF SILICON NPN SOT-343两极晶体管 - BJT Discrete Med P AMP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics START499ETR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | START499ETR |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 160mA，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 497-8293-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/SC1256/PF185969?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 3.3dB @ 1.8GHz |
| 增益 | 15dB |
| 增益带宽产品fT | 42 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | START499ETR |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 4.5 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 600 mA |
| 频率-跃迁 | 1.9GHz |
