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PSMN4R5-40BS,118产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R5-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R5-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R5-40BS,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 148W(Tc) D2PAK。您可以下载PSMN4R5-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R5-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN4R5-40BS,118 是一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高能效和减小系统尺寸。 2. 电机控制:用于电动车、工业自动化设备、电动工具等中的电机驱动电路,实现对电机速度与扭矩的精确控制。 3. 负载开关:作为高边或低边开关用于控制电源对负载的供电,常见于服务器、通信设备和消费电子产品中。 4. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理电路中作为开关元件,保障电池安全高效运行。 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等对可靠性要求高的汽车应用。 该器件封装为TO-220,便于散热,适合中高功率应用,具备良好的热稳定性和耐用性,适用于工业和汽车级工作环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R5-40BS,118- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN4R5-40BS,118 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 148 W |
Pd-功率耗散 | 148 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2683pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-9490-6 |
功率-最大值 | 148W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
配置 | Single |