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  • 型号: PSMN4R5-40BS,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN4R5-40BS,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R5-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R5-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R5-40BS,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 148W(Tc) D2PAK。您可以下载PSMN4R5-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R5-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PSMN4R5-40BS,118 是一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高能效和减小系统尺寸。

2. 电机控制:用于电动车、工业自动化设备、电动工具等中的电机驱动电路,实现对电机速度与扭矩的精确控制。

3. 负载开关:作为高边或低边开关用于控制电源对负载的供电,常见于服务器、通信设备和消费电子产品中。

4. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理电路中作为开关元件,保障电池安全高效运行。

5. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等对可靠性要求高的汽车应用。

该器件封装为TO-220,便于散热,适合中高功率应用,具备良好的热稳定性和耐用性,适用于工业和汽车级工作环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R5-40BS,118-

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产品型号

PSMN4R5-40BS,118

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

148 W

Pd-功率耗散

148 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2683pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9490-6

功率-最大值

148W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

配置

Single

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