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Datasheet下载- 型号： PSMN4R5-40BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN4R5-40BS,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R5-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R5-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R5-40BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 148W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN4R5-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R5-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R5-40BS,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.5 mΩ @ VGS = 10 V，6.0 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID连续达120 A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，降低导通损耗，提升能效（尤其在12V/48V输入系统中表现突出）； - 电机驱动与负载开关：适用于无刷直流（BLDC）电机控制、电动工具、无人机电调及智能家电中的H桥或半桥驱动，支持快速开关与强抗dv/dt干扰能力； - 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低RDS(on)和高雪崩耐量，可用于电池保护电路中的充放电主开关或过流保护开关； - LED照明驱动与固态继电器：在高功率LED恒流驱动及工业固态开关模块中实现高效、可靠通断控制。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），集成优化的栅极电荷（Qg ≈ 70 nC），利于高频（≤500 kHz）应用，并具备AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于汽车级辅助电源系统（如车载充电、水泵/风扇控制等）。其紧凑的LFPAK56封装便于PCB布局与散热设计，适合高功率密度场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R5-40BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R5-40BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 148 W |
| Pd-功率耗散 | 148 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2683pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9490-6 |
| 功率-最大值 | 148W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 配置 | Single |
