【晶体管 - UGBT，MOSFET - 单_IRG4BH20K-LPBF】封装/厂家_IRG4BH20K-LPBF中文资料_价格

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型号： IRG4BH20K-LPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRG4BH20K-LPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BH20K-LPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BH20K-LPBF价格参考。International RectifierIRG4BH20K-LPBF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 1200V 11A 60W 通孔 TO-262。您可以下载IRG4BH20K-LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG4BH20K-LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRG4BH20K-LPBF 的产品属于 晶体管 - IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET单管 类别。该器件主要用于 功率电子系统 中，具有高效率和高可靠性的特点。

其主要应用场景包括：

1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，适用于需要高效能、小型化设计的工业电源设备。

2. 电机驱动：用于变频器、伺服驱动器和无刷直流电机控制，适用于工业自动化、机器人及电动工具等领域。

3. 家电控制：如变频空调、洗衣机、电磁炉等家用电器中的功率控制模块，具备低导通压降和快速开关特性，有助于提高整机能效。

4. 新能源应用：包括太阳能逆变器、储能系统中的功率变换模块，适合对效率和热管理有高要求的绿色能源系统。

5. 汽车电子：用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器及电动汽车中的辅助电源系统，符合汽车级可靠性标准。

该器件采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能和电流承载能力，适用于中高功率应用场景。同时，其低导通损耗和开关损耗使其在高频工作条件下依然保持高效运行。

综上，IRG4BH20K-LPBF广泛应用于工业控制、家电、新能源及汽车电子等需要高效功率管理的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	23ns/93ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	22A
描述	IGBT 1200V 11A 60W TO262IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	28nC
IGBT类型	-
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BH20K-LPBF-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRG4BH20K-LPBF
SwitchingEnergy	450µJ （开）， 440µJ （关）
TestCondition	960V, 5A, 50 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	4.3V @ 15V，5A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-262
其它名称	*IRG4BH20K-LPBF IRG4BH20KLPBF
功率-最大值	60W
功率耗散	60 W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
商标	International Rectifier
在25C的连续集电极电流	11 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	TO-262
工厂包装数量	50
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）	11A
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.17 V