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Datasheet下载- 型号： BFU790F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFU790F,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU790F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU790F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU790F,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 2.8V 100mA 25GHz 234mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU790F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU790F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU790F,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大应用。该器件特别适用于工作频率较高的无线通信系统中，如蜂窝基站、广播设备和工业射频设备。 该晶体管具有良好的高频性能和高功率增益，适合用于 UHF 和 L 波段的低噪声放大器和驱动放大器设计。其封装形式为 SOT-343，体积小巧，便于在高密度电路板上布局，同时也具备较好的热稳定性和可靠性。 应用场景包括： 1. 蜂窝通信基础设施：如 GSM、WCDMA、LTE 等基站中的射频前级放大器； 2. 广播发射设备：用于 FM 或 TV 发射机中的中间频率放大； 3. 工业与测试设备：如频谱分析仪、信号发生器等射频测量仪器； 4. 无线接入点和中继器：用于增强无线信号覆盖范围的射频放大模块。 总之，BFU790F,115 凭借其优异的射频性能，广泛应用于需要高频、低噪声放大的现代通信系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F射频双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU790F,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFU790F,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 235 @ 10mA，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8459-2 |
| 功率-最大值 | 234mW |
| 功率耗散 | 234 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作频率 | 110 GHz |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.8 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率 | 110 GHz |
| 频率-跃迁 | 25GHz |
