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  • 型号: PBSS4021NT,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS4021NT,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4021NT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4021NT,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4021NT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 4.3A 165MHz 1.1W 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PBSS4021NT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4021NT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS4021NT,215 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 小型表面贴装封装,具有高增益(hFE 典型值 300@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 130mV@Ic=100mA, Ib=10mA)及良好频率响应(fT ≈ 210MHz),适用于中低功率开关与线性放大场景。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备中的负载开关——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中驱动LED背光、振动马达或传感器模块的通断控制;  
✅ DC-DC转换器中的开关元件——在升压/降压拓扑中作为同步整流或辅助开关,兼顾效率与尺寸;  
✅ 信号调理与小信号放大——用于传感器接口电路(如温度、光敏信号预放大)、音频前端或逻辑电平转换;  
✅ 工业与家电控制——PLC输入/输出模块、继电器驱动、电机启停控制等对可靠性与温度稳定性(-65°C ~ +150°C)要求较高的场合。

其SOT-23封装支持自动化贴片生产,功耗低(Ptot=380mW),ESD防护能力达±2kV(HBM),符合AEC-Q101(部分批次),亦可用于汽车电子非安全关键子系统(如车身控制模块)。不推荐用于大电流(>200mA持续)或高压(>50V)主功率开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 20V 4.3A SOT23两极晶体管 - BJT BISS Transistor

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4021NT,215-

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产品型号

PBSS4021NT,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 400mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 2A,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-5075-1

功率-最大值

1.1W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

165 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

390 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

8 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4.3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极连续电流

4.3 A

频率-跃迁

165MHz

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