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  • 型号: MJB42CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJB42CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB42CT4G价格参考¥3.08-¥3.08。ON SemiconductorMJB42CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJB42CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB42CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJB42CT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高压、高功率应用的通用放大和开关器件。该型号采用TO-220封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于需要较高电压和电流处理能力的场景。

主要应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于线性电源、开关电源(SMPS)中的驱动级或调整管,支持高耐压工作,适合工业电源模块。  
2. 功率放大:在音频放大器或信号放大电路中作为输出级或中间放大级,提供较高的电流增益和带载能力。  
3. 电机驱动:在中小型直流电机控制电路中用作开关元件,实现启停与速度调节功能。  
4. 工业控制:广泛应用于继电器驱动、固态继电器、电源逆变器及各类工业自动化设备中的功率开关电路。  
5. 照明系统:可用于高强度放电灯(HID)、荧光灯等照明设备的镇流器电路中,承担高频开关任务。  

MJB42CT4G具备高集电极-发射极电压(VCEO达60V)、大电流承载能力(IC可达2A),并具有较低饱和压降,有助于提升能效。其无铅、符合RoHS的设计也适用于环保要求较高的电子产品。综合来看,该器件适合在中等功率、高可靠性的工业与消费类电子设备中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK两极晶体管 - BJT 6A 100V 65W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB42CT4G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MJB42CT4G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 600mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 3A,4V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

MJB42CT4GOSDKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

3 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

TO-263-3 (D2PAK)

工厂包装数量

800

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

65 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

6 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

700µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

MJB42C

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极连续电流

6 A

频率-跃迁

3MHz

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