Datasheet下载- 型号： BUV26G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUV26G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUV26G价格参考。ON SemiconductorBUV26G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUV26G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUV26G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUV26G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高频、高功率双极性晶体管（BJT），常用于射频（RF）功率放大应用。其主要应用场景包括： 1. 射频功率放大器：BUV26G广泛应用于UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段的射频功率放大器，适用于无线通信基站、广播发射设备等。 2. 电视广播发射机：该器件可用于模拟与数字电视广播发射系统中的功率放大模块，提供稳定的大功率输出。 3. 工业与通信设备：在需要高线性度和高效率的工业通信系统中，BUV26G可用作主功率放大元件。 4. 雷达与测试设备：由于具备良好的高频响应和可靠性，也适用于雷达系统和射频测试仪器中的功率放大级。 该晶体管具有高增益、低失真和良好热稳定性的特点，适合在高性能射频电路中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 90V 20A BIPLAR TO220AB两极晶体管 - BJT 20A 90V 85W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUV26G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUV26G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 1.2A，12A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | BUV26G-ND |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 85 W |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大直流电集电极电流 | 20 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 90V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | BUV26 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 90 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极连续电流 | 20 A |
| 频率-跃迁 | - |
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