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  • 型号: NJVMJB44H11T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJB44H11T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJB44H11T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJB44H11T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJB44H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJB44H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NJVMJB44H11T4G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于单BJT器件,广泛应用于汽车电子和工业控制领域。该器件符合AEC-Q101车规级标准,具备高可靠性和耐环境应力能力,特别适用于严苛工作条件下的应用。

典型应用场景包括:汽车电子系统中的继电器驱动、电机控制、LED照明电源管理模块以及车载传感器信号放大;在车身控制模块(BCM)、车灯控制单元和电动门窗驱动电路中作为开关或信号放大元件。此外,也常用于DC-DC转换器、电源开关电路及低功率放大电路中,实现高效的电流控制与信号切换。

由于其采用SOT-223封装,具有良好的散热性能,适合在高温环境下稳定运行。同时,器件优化了饱和压降和开关速度,在保证低功耗的同时提升系统效率。因此,NJVMJB44H11T4G主要面向对可靠性要求高的汽车电子和工业应用,是替代传统三极管的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN BIP 80V 10A D2PAK-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NJVMJB44H11T4G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

晶体管类型

NPN

标准包装

800

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

10µA

频率-跃迁

50MHz

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