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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP5555TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP5555TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP5555TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJP5555TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJP5555TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP5555TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于中功率放大和开关电路中。该晶体管具有较高的电流容量和良好的热稳定性,适合在需要可靠性和稳定性的场景中使用。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、稳压电源等,作为开关元件控制电流流动; 2. 电机驱动与继电器控制:在工业自动化设备中,用来驱动小型电机或控制继电器的通断; 3. 音频功率放大器:适用于低频音频放大电路,作为输出级提升信号功率; 4. LED照明驱动:用于调节高亮度LED的电流,实现亮度控制; 5. 汽车电子系统:如车灯控制、风扇调速等,得益于其耐高温和良好可靠性; 6. 消费类电子产品:如电视、音响设备中的电源开关或信号放大模块。 该器件采用TO-220封装,便于散热,适合中高功率应用。设计时需注意基极驱动电流的控制及散热片的使用,以确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 400V 5A TO220两极晶体管 - BJT NPN Silicon |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJP5555TU- |
数据手册 | |
产品型号 | FJP5555TU |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 1A,3.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 800mA,3V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
发射极-基极电压VEBO | 14 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 75 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 40 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | FJP5555 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 1.05 kV |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
集电极连续电流 | 5 A |
零件号别名 | FJP5555TU_NL |
频率-跃迁 | - |