图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: BD239BTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BD239BTU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BD239BTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD239BTU价格参考。Fairchild SemiconductorBD239BTU封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 2A 30W 通孔 TO-220。您可以下载BD239BTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BD239BTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 80V 2A TO-220两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BD239BTU-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BD239BTU

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

700mV @ 200mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 1A,4V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

30W

包装

管件

单位重量

1.800 g

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

30 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

300µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

15

系列

BD239B

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

90 V

集电极—基极电压VCBO

90 V

集电极—射极饱和电压

0.7 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

-

BD239BTU 相关产品

2SD12660P

品牌:Panasonic Electronic Components

价格:

BC858W,135

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

TIP147T

品牌:STMicroelectronics

价格:

MMBTA42LT3G

品牌:ON Semiconductor

价格:¥0.22-¥0.22

PN3567_D27Z

品牌:ON Semiconductor

价格:

BD243TU

品牌:ON Semiconductor

价格:

KSC2073H2TSTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SB1203T-TL-H

品牌:ON Semiconductor

价格: