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  • 型号: 2N6039G
  • 制造商: ON Semiconductor
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2N6039G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6039G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6039G价格参考。ON Semiconductor2N6039G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 80V 4A 40W 通孔 TO-225AA。您可以下载2N6039G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6039G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N6039G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型单晶体管。其主要应用场景包括:

1. 开关电路:  
   2N6039G 具有较高的电流增益和快速的开关速度,适用于各种开关应用,例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景。

2. 信号放大:  
   该晶体管可以用于音频或其他低频信号的放大,适合于需要中等功率输出的音频设备或传感器信号放大的场合。

3. 电源管理:  
   在一些简单的电源管理电路中,2N6039G 可作为电流调节器或稳压器的一部分,帮助稳定电压或限制电流。

4. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制:  
   由于其良好的频率响应特性,2N6039G 能够在 PWM 控制电路中发挥作用,例如亮度调节、速度控制等。

5. 保护电路:  
   在过流保护或短路保护电路中,2N6039G 可以用作检测元件或执行元件,提供可靠的安全保障。

总结来说,2N6039G 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,尤其适合对性能要求较高但功耗较低的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL NPN 4A 80V TO225AA达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6039G-

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产品型号

2N6039G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 40mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

750 @ 2A,3V

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

2N6039GOS

功率-最大值

40W

功率耗散

40 W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TO-225AA

工厂包装数量

500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最大集电极截止电流

500 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100, 500, 750

系列

2N6039

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

-

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