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型号： MMBT4354
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MMBT4354产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4354由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4354价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT4354封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 800mA 350mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBT4354参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT4354 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBT4354是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括：

1. 开关电路：MMBT4354具备良好的开关特性，适合用于数字电路中的开关控制，如逻辑电路、驱动电路等。

2. 放大电路：作为BJT晶体管，它可用于音频信号放大、射频信号放大等模拟电路中，适用于低频和中频放大应用。

3. 电源管理：在DC-DC转换器、负载开关或电流控制电路中，MMBT4354可用于调节电流或电压输出。

4. 传感器电路：用于传感器信号的放大或开关控制，如温度、光敏、压力等传感器的接口电路。

5. 通信设备：在低功率通信模块中，作为信号处理或功率驱动元件使用。

6. 消费类电子产品：如手机、平板、智能穿戴设备中，用于电源控制、信号切换等。

该晶体管采用小外形封装（如SOT-23），适合高密度PCB布局，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业与消费类应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP GP SOT23两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT4354-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBT4354
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	50 @ 10mA，5V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-23-3
其它名称	MMBT4354CT
功率-最大值	350mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	60 mg
发射极-基极电压VEBO	- 5 V
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	350 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.8 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	800mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
直流电流增益hFE最大值	500
直流集电极/BaseGainhfeMin	50
系列	MMBT4354
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 60 V
集电极—基极电压VCBO	- 60 V
集电极—射极饱和电压	- 0.5 V
集电极连续电流	0.8 A
零件号别名	MMBT4354_NL
频率-跃迁	-