Datasheet下载- 型号： 2SA1179N6-CPA-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1179N6-CPA-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1179N6-CPA-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SA1179N6-CPA-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1179N6-CPA-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1179N6-CPA-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1179N6-CPA-TB-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT）。该晶体管主要应用于需要低噪声、高增益和良好频率响应的模拟电路中。 常见应用场景包括： 1. 音频放大器：由于其低噪声特性和良好的增益性能，常用于前置放大电路或音频信号处理模块中，提升音质表现。 2. 射频（RF）放大电路：适用于通信设备中的射频信号放大，尤其在低频至中高频段表现出色。 3. 开关电路：可在低功率开关应用中作为控制元件使用，适合对响应速度有一定要求的场景。 4. 传感器信号调理：用于传感器信号的放大与处理，特别是在需要高精度和稳定性的工业控制系统中。 5. 电源管理电路：如DC-DC转换器或负载开关中，配合其他元件进行电流控制。 该器件采用SOT-23封装，体积小、便于贴装，适合于便携式设备及高密度PCB设计。此外，其较高的可靠性也使其广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 150MA 50V CP开关晶体管 - 偏压电阻器 BIP PNP 0.15A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor 2SA1179N6-CPA-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1179N6-CPA-TB-E |
| PCN过时产品 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 mA |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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