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  • 型号: 2N6491G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6491G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6491G价格参考¥2.50-¥2.66。ON Semiconductor2N6491G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6491G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6491G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N6491G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关应用
   - 数字电路中的开关:2N6491G 可用于数字电路中作为开关元件,控制其他设备的开启和关闭。例如,在继电器驱动、LED 控制或电机启动电路中,该晶体管能够高效地实现电流放大功能。
   - 负载切换:适用于需要快速响应的小功率负载切换场景。

 2. 信号放大
   - 音频信号放大:在低功率音频设备中,如耳机放大器或麦克风前置放大器,2N6491G 能够提供稳定的信号增益。
   - 传感器信号放大:可用于放大来自温度传感器、压力传感器或其他微弱信号源的电信号,以便后续处理。

 3. 电源管理
   - 线性稳压器:在一些简单的线性稳压电路中,该晶体管可以用来调节输出电压。
   - 电流限制电路:通过设计合适的偏置电路,2N6491G 可以用作电流限制元件,保护下游电路免受过流损坏。

 4. 脉冲调制与控制
   - PWM 控制:在脉宽调制(PWM)电路中,该晶体管可以用作功率级驱动器,控制直流电机的速度或亮度调节 LED。
   - 定时电路:结合 RC 网络使用时,2N6491G 可参与构建定时器或振荡器电路。

 5. 通信领域
   - 射频(RF)小信号处理:尽管不是专为高频设计,但在较低频率范围内,2N6491G 仍能胜任某些 RF 小信号放大的任务。

 特性总结
- 最大集电极电流:约 1A,适合中小功率应用。
- 最高工作频率:支持高达几十 MHz 的操作,满足一般工业和消费类需求。
- 低噪声特性:使其成为精密信号处理的理想选择。

总之,2N6491G 凭借其可靠性、易用性和良好的电气性能,在众多基础电子项目中扮演着重要角色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PWR PNP 15A 80V TO220AB两极晶体管 - BJT 15A 80V 75W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N6491G-

数据手册

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产品型号

2N6491G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3.5V @ 5A,15A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20 @ 5A,4V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

2N6491GOS

功率-最大值

1.8W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

5 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

75 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

15 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

15A

电流-集电极截止(最大值)

1mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

20

系列

2N6491

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

90 V

集电极—射极饱和电压

3.5 V

集电极连续电流

15 A

频率-跃迁

5MHz

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