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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6491G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6491G价格参考¥2.50-¥2.66。ON Semiconductor2N6491G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6491G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6491G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N6491G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用 - 数字电路中的开关:2N6491G 可用于数字电路中作为开关元件,控制其他设备的开启和关闭。例如,在继电器驱动、LED 控制或电机启动电路中,该晶体管能够高效地实现电流放大功能。 - 负载切换:适用于需要快速响应的小功率负载切换场景。 2. 信号放大 - 音频信号放大:在低功率音频设备中,如耳机放大器或麦克风前置放大器,2N6491G 能够提供稳定的信号增益。 - 传感器信号放大:可用于放大来自温度传感器、压力传感器或其他微弱信号源的电信号,以便后续处理。 3. 电源管理 - 线性稳压器:在一些简单的线性稳压电路中,该晶体管可以用来调节输出电压。 - 电流限制电路:通过设计合适的偏置电路,2N6491G 可以用作电流限制元件,保护下游电路免受过流损坏。 4. 脉冲调制与控制 - PWM 控制:在脉宽调制(PWM)电路中,该晶体管可以用作功率级驱动器,控制直流电机的速度或亮度调节 LED。 - 定时电路:结合 RC 网络使用时,2N6491G 可参与构建定时器或振荡器电路。 5. 通信领域 - 射频(RF)小信号处理:尽管不是专为高频设计,但在较低频率范围内,2N6491G 仍能胜任某些 RF 小信号放大的任务。 特性总结 - 最大集电极电流:约 1A,适合中小功率应用。 - 最高工作频率:支持高达几十 MHz 的操作,满足一般工业和消费类需求。 - 低噪声特性:使其成为精密信号处理的理想选择。 总之,2N6491G 凭借其可靠性、易用性和良好的电气性能,在众多基础电子项目中扮演着重要角色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PWR PNP 15A 80V TO220AB两极晶体管 - BJT 15A 80V 75W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N6491G- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N6491G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3.5V @ 5A,15A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 5A,4V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 2N6491GOS |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 5 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 75 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 15 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 15A |
电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | 2N6491 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 90 V |
集电极—射极饱和电压 | 3.5 V |
集电极连续电流 | 15 A |
频率-跃迁 | 5MHz |