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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DSS3515M-7B由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DSS3515M-7B价格参考。Diodes Inc.DSS3515M-7B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DSS3515M-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DSS3515M-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DSS3515M-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号,广泛应用于多种电子电路设计中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电路 - DSS3515M-7B 可用于构建高效的开关电路。由于其低饱和电压和快速开关特性,适合在数字逻辑电路、继电器驱动器以及LED驱动等场景中充当开关元件。 2. 信号放大 - 该晶体管具有良好的增益性能,适用于音频信号放大、传感器信号放大等场合。例如,在麦克风前置放大器或小型音频设备中,可以利用其高hFE(电流增益)特性来增强微弱信号。 3. 电源管理 - 在低功耗系统中,DSS3515M-7B 可作为功率晶体管的一部分,用于稳压电路、线性调节器或负载开关控制,确保输出电压稳定并减少能量损耗。 4. 电机驱动 - 对于小型直流电机或步进电机的驱动应用,这款晶体管能够提供足够的电流驱动能力,并且具备一定的耐热性和可靠性。 5. 保护电路 - 它还可以用作过流保护、短路保护等安全机制中的关键组件。通过检测异常电流水平,及时切断电路以防止损坏其他敏感元器件。 6. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在需要精确控制输出功率的应用中,如LED亮度调节、风扇速度控制等,DSS3515M-7B 支持 PWM 技术,实现高效能的能量转换与分配。 综上所述,DSS3515M-7B 凭借其卓越的电气特性和紧凑封装形式,在消费电子产品、工业自动化设备及汽车电子等领域均有广泛应用潜力。选择时需根据具体项目需求考量其工作参数是否符合要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 15V 500MA DFN1006-3两极晶体管 - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DSS3515M-7B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DSS3515M-7B |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006(1.0x0.6) |
| 其它名称 | DSS3515M-7BDICT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 封装/箱体 | DFN-1006-3 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | DSS3515 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 15 V |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 340MHz |