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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供D45H8G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 D45H8G价格参考¥2.50-¥2.66。ON SemiconductorD45H8G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载D45H8G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有D45H8G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的D45H8G是一款NPN型双极性晶体管(BJT),属于“晶体管 - 双极 (BJT) - 单”类别。该型号具有较高的电流增益和良好的高频特性,适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用: D45H8G可用于开关电路中,例如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等。由于其高增益特性,能够在低基极电流下实现高效的开关操作。 2. 信号放大: 该晶体管适合用于音频信号放大器或其他低频信号放大的场合。它能够提供足够的电流增益以增强输入信号强度,同时保持较低的失真。 3. 电源管理: 在某些简单的线性稳压器或负载调节电路中,D45H8G可以用作电流放大元件,帮助维持输出电压稳定。 4. 通信设备: 因为D45H8G具备较好的频率响应性能,可以应用于一些通信领域的调制解调电路或射频前端中的低噪声放大环节。 5. 工业控制: 此类晶体管常被用在各种传感器接口电路以及自动化控制系统内的信号处理部分,比如温度监控系统或者压力检测装置中作为关键组件之一。 6. 消费电子产品: 包括家用电器如风扇速度控制器、玩具遥控车马达驱动等都可能采用此类通用型双极晶体管来完成特定功能需求。 总之,D45H8G凭借其优异的技术参数,在众多需要中小型功率处理及信号放大的场景下都有广泛的应用价值。选择具体应用时需根据实际工作条件考虑散热设计等因素以确保器件正常运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 10A 60V TO220AB两极晶体管 - BJT 10A 60V 50W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor D45H8G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | D45H8G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | D45H8GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 70 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | D45H8 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |