图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STGP10NC60HD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STGP10NC60HD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGP10NC60HD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP10NC60HD价格参考。STMicroelectronicsSTGP10NC60HD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 20A 65W Through Hole TO-220AB。您可以下载STGP10NC60HD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGP10NC60HD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的型号STGP10NC60HD是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(绝缘栅双极型晶体管)分类中的单个MOSFET类型。该器件具有以下关键参数:耐压值为600V,连续漏极电流为10A,导通电阻低至0.95Ω(典型值)。基于这些特性,其主要应用场景包括:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STGP10NC60HD适用于各种开关电源设计,如AC-DC或DC-DC转换器。其高耐压和较低的导通电阻使其能够在高压输入环境下高效工作。
   - 常见应用:适配器、充电器、工业电源等。

 2. 电机驱动与控制
   - 在电机驱动领域,这款MOSFET可用于控制中小型电机的启动、停止和速度调节。
   - 适合场景:家用电器(如风扇、泵)、电动工具、自动化设备中的直流电机驱动。

 3. 逆变器
   - 可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,将直流电转换为交流电。
   - 其高压承受能力有助于在可再生能源系统中实现稳定的能量转换。

 4. 不间断电源(UPS)
   - 在UPS系统中,STGP10NC60HD可用于电池充放电管理以及输出电压调节,确保供电的连续性和稳定性。

 5. 功率因数校正(PFC)电路
   - 该MOSFET适用于PFC电路,提高电力系统的效率并减少谐波失真,特别是在需要高功率因数的应用中。

 6. 电磁炉及高频加热设备
   - 由于其快速开关特性和高压承受能力,STGP10NC60HD可以应用于电磁炉或其他高频感应加热设备中。

 7. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV)辅助系统
   - 虽然不是主驱逆变器的核心元件,但可以用于辅助系统的电源管理和控制模块。

 总结
STGP10NC60HD凭借其高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。它特别适合于要求高压输入、中等电流输出的电力电子设备中,能够显著提升系统的性能和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

14.2ns/72ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

30A

描述

IGBT 600V 20A 65W TO220IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

19.2nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP10NC60HDPowerMESH™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STGP10NC60HD

SwitchingEnergy

31.8µJ (开), 95µJ (关)

TestCondition

390V, 5A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,5A

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-5118-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF119160?referrer=70071840

功率-最大值

65W

功率耗散

56 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

22ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

DPAK-3

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20A

系列

STGP10NC60HD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.9 V

集电极最大连续电流Ic

20 A

STGP10NC60HD 相关产品

IXYH40N65C3H1

品牌:IXYS

价格:

IXGP7N60BD1

品牌:IXYS

价格:

STGD3HF60HDT4

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRGP4063D1-EPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IXGH40N120C3D1

品牌:IXYS

价格:

IXGH17N100U1

品牌:IXYS

价格:

HGTG12N60A4D

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRG4BC20UD-STRL

品牌:Infineon Technologies

价格: