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  • 型号: STBV42-AP
  • 制造商: STMicroelectronics
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STBV42-AP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STBV42-AP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STBV42-AP价格参考。STMicroelectronicsSTBV42-AP封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92AP。您可以下载STBV42-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STBV42-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN FAST SW 400V TO-92两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics STBV42-AP-

数据手册

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产品型号

STBV42-AP

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 250mA,750mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 400mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92AP

其它名称

497-12546-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF64539?referrer=70071840

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

1mA

直流电流增益hFE最大值

30

直流集电极/BaseGainhfeMin

10

系列

STBV42

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

400 V

集电极—射极饱和电压

0.4 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

-

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