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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5883G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5883G价格参考。ON Semiconductor2N5883G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5883G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5883G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5883G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号广泛应用于需要高性能、高增益和高频率特性的电子电路中,其典型应用场景包括: 1. 音频放大器: 2N5883G适用于低噪声、高增益的音频信号放大,可用于前置放大器或功率放大器中的驱动级,提供高质量的声音输出。 2. 射频(RF)和高频电路: 由于其良好的高频特性,2N5883G适合用作射频放大器、混频器或振荡器中的核心元件,尤其在无线通信、广播接收等领域。 3. 开关电路: 在数字逻辑电路中,2N5883G可以用作开关器件,实现信号的导通与截止控制,例如继电器驱动、LED驱动等应用。 4. 电源管理: 该晶体管可以用于线性稳压器或直流-直流转换器中的控制元件,调节输出电压或电流。 5. 传感器信号调理: 在工业自动化和物联网设备中,2N5883G可用于放大来自传感器的微弱信号,提高检测精度。 6. 测试与测量设备: 高性能的2N5883G晶体管常用于精密仪器中,如示波器、信号发生器等,以确保信号的准确性和稳定性。 总之,2N5883G凭借其优异的电气性能,在各种模拟和数字电路中都有广泛的用途,尤其是在对增益和频率要求较高的场合。选择该型号时,需根据具体电路需求考虑其工作电压、电流及散热条件等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP PWR GP 25A 60V TO3两极晶体管 - BJT 25A 60V 200W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5883G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5883G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 4V @ 6.25A,25A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 10A,4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | 2N5883GOS |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA,TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 25 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 25A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 2mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | 2N5883 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 25 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |