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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160U,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160U,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160U,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4160U,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4160U,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4160U,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 NPN 型低 VCE(sat)(低饱和压降)双极结型晶体管(BJT),采用 SOT323(SC-70)小型表面贴装封装,具有高电流增益(hFE)、快速开关特性及优异的热性能。 典型应用场景包括: • 中小功率开关电路:如便携式设备(智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中的LED驱动、蜂鸣器控制、电源使能(EN)信号切换等; • 负载开关与电平转换:在3.3V/5V系统中实现逻辑电平转换或驱动中等电流负载(IC最大连续集电极电流IC = 600 mA,峰值ICM = 1.2 A); • 电池供电设备的电源管理:因其低饱和压降(典型VCE(sat) ≈ 110 mV @ IC = 300 mA, IB = 30 mA),可减小导通损耗,延长电池续航; • 工业与消费类电子中的信号放大与开关:如传感器接口电路、继电器驱动、电机(小型直流电机)控制等对尺寸和效率敏感的应用。 该器件具备AEC-Q101可靠性认证(部分批次),亦适用于汽车电子中的非安全关键模块(如车灯控制、HVAC风扇驱动等)。其紧凑封装与高可靠性使其成为空间受限、需兼顾性能与成本的中低功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT323两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160U,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160U,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 280mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-7292-6 |
| 功率-最大值 | 415mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 220 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 415 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 750mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 at 1 mA at 5 V, 200 at 500 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 零件号别名 | PBSS4160U T/R |
| 频率-跃迁 | 220MHz |