Datasheet下载- 型号： MSD602-RT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD602-RT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD602-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSD602-RT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSD602-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSD602-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSD602-RT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件常用于中功率开关和放大电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理与开关电路：该晶体管可用于DC-DC转换器、负载开关和电源控制电路，适用于需要中等功率处理能力的场合。 2. 电机驱动与继电器控制：由于其具备一定的电流放大能力和开关性能，可作为电机、继电器等感性负载的驱动开关元件。 3. 工业控制设备：在工业自动化系统中，用于信号放大、继电器驱动或传感器接口电路。 4. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等，用于电源开关控制或信号处理电路中。 5. 汽车电子系统：适用于汽车中的灯光控制、风扇驱动或其他车载电子控制模块。 6. 通用放大电路：在需要电流或电压放大的模拟电路中作为增益元件使用。 该晶体管采用SOT-223封装，具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合表面贴装工艺，广泛应用于各类中功率电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS GP NPN 100MA 50V SC59两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 25V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD602-RT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSD602-RT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 30mA，300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 150mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MSD602-RT1GOS |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | MSD602-RT1 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 频率-跃迁 | - |
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